NEO Semiconductor представила прототип 3D X-DRAM

Американская компания NEO Semiconductor объявила о создании прототипа 3D X-DRAM, который может значительно повысить плотность хранения данных и решить проблему нехватки оперативной памяти. Прототип был разработан в Тайване и уже привлек внимание инвесторов и производителей.

• Создание прототипа 3D X-DRAM стало возможным благодаря сотрудничеству с тайваньскими университетами.
• Задержка чтения/записи составляет менее 10 нс, а время регенерации — более 1 секунды.
• Память обладает высокой устойчивостью к износу и помехам.

Инновации в области оперативной памяти

NEO Semiconductor работает над стековой компоновкой памяти DRAM, которая, по замыслу разработчиков, позволит достичь плотности записи 512 Гбит на кристалл. При этом пропускная способность предполагается в 16 раз выше, чем у существующей памяти HBM. Это открывает новые горизонты для улучшения производительности вычислительных систем.

Поддержка от признанных экспертов

Ключевым моментом в развитии NEO Semiconductor стало привлечение Стэна Ши, основателя компании Acer и бывшего руководителя TSMC. Также компания сотрудничает с Национальным университетом Янмин Цзяотун и Тайваньским научно-исследовательским институтом полупроводников, что позволяет проводить тестирование и измерение характеристик нового образца на высоком уровне.

Согласно заявлениям руководства NEO Semiconductor, компания активно ведет переговоры с ведущими производителями памяти, что может ускорить выход стековой оперативной памяти на рынок. Это может стать настоящим прорывом в области технологий хранения данных.